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SH8M70
P-ch
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 15V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS ? 250
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
?
? 2.0
?
?
?
2.2
? 25
? 4.0
2.8
μ A
V
Ω
V DS = ? 250V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 1.25A, V GS = ? 10V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Y fs
C iss
C oss
C rss
?
1.0
?
?
?
?
250
40
10
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
I D = ? 1.25A, V DS = ? 10V
V DS = ? 25V
V GS = 0V
f = 1MHz
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
t d (on) ?
t r ?
t d (off) ?
t f ?
?
?
?
?
9
15
30
20
?
?
?
?
ns
ns
ns
ns
I D = ? 1.25A, V DD
V GS = ? 10V
R L = 100 Ω
R G = 10 Ω
? 125V
Total gate charge
Q g ?
?
8
?
nC
V DD
? 125V, I D = ? 2.5A
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs ?
Q gd ?
?
?
2.5
2.8
?
?
nC
nC
V GS = ? 10V
R L = 50 Ω, R G = 10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
? 1.5
V
I S =? 2.5A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.06 - Rev.B
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